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    實施例揭示保護堆疊的圖案化磁性材料之方法，其包括沉積惰性材料之薄的連續膜，該惰性材料對其上沉積該薄的連續膜之圖案化堆疊的該等磁性材料遲鈍；從該薄的連續膜形成薄的臨時介面層，以保護該圖案化堆疊之非蝕刻的較高起伏磁性島之頂部和側壁區與磁性膜蝕刻的表面免於空氣暴露破壞和來自與回填材料接觸的破壞。
    公开号:TW201315677A
    申请号:TW101121336
    申请日:2012-06-14
    公开日:2013-04-16
    发明作者:Zhao-Hui Fan；Yuan Xu；Justin Jia-Jen Hwu；Koichi Wago；David Shiao-Min Kuo
    申请人:Seagate Technology Llc；
    IPC主号:G11B5-00
    专利说明:
    保護圖案化磁性材料的方法
    本發明係有關保護圖案化磁性材料的方法。
    圖案化媒體製造處理使磁性島暴露至空氣和與回填材料直接接觸。暴露至空氣和與回填材料直接接觸從磁性島的頂部延伸到側壁表面。暴露會產生化學反應，其對磁性點產生物理破壞及造成磁性特性下降。回填材料會在磁性點表面上產生表面擴散，其會發展成改變磁性特性之外來金屬柵格結構。
    本發明至少具有下面概念。
    概念1：一種保護堆疊的圖案化磁性材料之方法，包含：沉積惰性材料之薄的連續膜，惰性材料對其上沉積薄的連續膜之圖案化堆疊的磁性材料遲鈍；以及從薄的連續膜形成薄的臨時介面層，以保護圖案化堆疊之非蝕刻的較高起伏磁性島之頂部和側壁區與磁性膜蝕刻的表面，免於空氣暴露破壞和來自與回填材料接觸之破壞。
    概念2：如概念1之方法，其中，惰性材料被組構成防止改變圖案化的堆疊之磁性島和磁性膜的磁性特性。
    概念3：如概念1或2之方法，其中，惰性材料被組構成防止與圖案化堆疊的磁性材料起化學反應。
    概念4：如概念1、2或3之方法，其中，惰性材料被組構成防止圖案化堆疊的磁性材料之擴散。
    概念5：如先前概念的任一者之方法，其中，沉積薄的連續膜包括濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積、原子層沉積、或保形沉積中至少一個。
    概念6：如先前概念的任一者之方法，其中，薄的臨時介面層包括平面化處理。
    概念7：如先前概念的任一者之方法，其中，薄的臨時介面層被組構成使磁性島與包括空氣和回填材料的周圍元素隔離。
    概念8：如先前概念的任一者之方法，其中，薄的臨時介面層被組構成產生磁性島側壁保護，免於平面化和回蝕處理期間的破壞。
    概念9：如先前概念的任一者之方法，其中，在真空中離子束蝕刻圖案化之後，隨後將薄的連續膜沉積於新近圖案化磁性島之上。
    概念10：一種設備，包含：沉積裝置，用以沉積惰性材料之薄的連續膜，惰性材料對其上沉積薄的連續膜之圖案化堆疊的磁性材料遲鈍；以及形成裝置，用以從薄的連續膜形成薄的臨時介面層，以保護圖案化堆疊之非蝕刻的較高起伏磁性島之頂部和側壁區和磁性膜蝕刻的表面，免於空氣暴露破壞和來自與回填材料的接觸之破壞。
    概念11：如概念10之設備，另包含產生裝置，用以在圖案化堆疊中產生薄的臨時介面層結構，以在平面化處理期間保護磁性島。
    概念12：如概念10或11之設備，另包含沉積裝置，用以沉積惰性材料，以防止改變圖案化堆疊的磁性特性。
    概念13：如概念10、11或12之設備，其中，用以沉積薄的連續膜之裝置包括濺鍍裝置、電漿增強型化學氣相沉積裝置、原子層沉積裝置、或保形沉積裝置中至少一個。
    概念14：如概念10-13的任一者之設備，另包含產生裝置，用以在圖案化堆疊中產生薄的臨時介面層結構，以保護磁性島免於與回填材料直接接觸所造成的擴散破壞。
    概念15：如概念10-14的任一者之設備，另包含沉積裝置，用以在真空中離子束蝕刻圖案化之後，隨後將薄的連續膜沉積於圖案化堆疊之新近圖案化磁性島之上。
    概念16：一種保護層結構，包含：圖案化磁性島；薄的臨時介面層；以及薄的連續膜保護層結構，其中，藉由將薄的連續膜保護層結構沉積於圖案化磁性島上而形成該薄的臨時介面層，以保護圖案化磁性島免於空氣暴露破壞、來自與回填材料接觸的破壞、及來自平面化處理的破壞。
    概念17：如概念16之保護層結構，其中，沉積於圖案化磁性島上之該等材料對圖案化島所使用的磁性材料遲鈍。
    概念18：如概念17之保護層結構，其中，沉積於圖案化磁性島上之該等惰性材料被組構成防止改變圖案化堆疊的磁性島和磁性膜之磁性特性，防止與圖案化島的磁性材料起化學反應，及防止圖案化島的磁性材料之擴散。
    概念19：如概念16-18的任一者之保護層結構，其中，使用沉積處理來沉積保護層，沉積處理包括濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積、原子層沉積、或保形沉積技術中至少一個。
    概念20：如概念16-19的任一者之保護層結構，其中，薄的臨時介面層被組構成在包括回填材料的回蝕之平面化處理期間保護圖案化磁性島。
    在下面說明中，參考附圖，附圖形成說明書的一部分及經由圖解可實施本發明的特定例子來展現。應明白的是，只要不違背本發明的範圍，可利用其他實施例及可進行結構變化。在下面說明中，磁性島一詞意指圖案化堆疊的圖案化磁性材料之較高起伏未蝕刻部分之頂部和側壁。在下面說明中，磁性膜一詞意指圖案化堆疊的圖案化磁性材料之較低起伏蝕刻部分。 概述：
    應注意的是，為了圖解目的說明例如有關利用用於位元圖案化媒體製造的側壁沉積之磁性島保護的方法之以下說明，及下面系統可應用到任何數目和多種類型的圖案化堆疊和平面化處理。在本發明的一實施例中，磁性點保護可被組構作為連續膜層。在其他實施例中，連續膜層包括材料對磁性島材料遲鈍及被組構成使用本發明來防止磁性特性的變化。
    圖1為一實施例的堆疊之圖案化磁性材料的保護方法之概要的方塊圖。圖1為諸如位元圖案化堆疊等圖案化堆疊100圖。例如離子束蝕刻(IBE)之圖案化處理移除形成沉積在堆疊基板上的磁性層之磁性材料的部分。在圖案化處理中諸如磁性島等未移除之磁性層材料的部分在圖案化外形上呈現較高的起伏。已被蝕刻之圖案化堆疊100的磁性層之表面(磁性膜)和磁性島係暴露至一實施例的空氣。
    保護堆疊的圖案化磁性材料之方法中的第一步驟為將薄的連續膜沉積於磁性島和膜110之上。薄的連續膜之沉積可包括對圖案化堆疊100的磁性材料遲鈍之材料。在形成一實施例之薄的臨時介面層120中使用惰性材料之薄的連續膜沉積。薄的臨時介面層120被用於產生磁性島和膜130免於破壞之保護125。對磁性島和膜的破壞可包括空氣暴露破壞140，諸如氧化介面表面等。
    薄的臨時介面層120在圖案化之後立刻使磁性材料隔離以避免暴露至空氣，及防止磁性特性下降和物理劣化。薄的臨時介面層120亦提供介面於一實施例的磁性膜之磁性島和蝕刻表面的側壁表面和頂部上。
    介面防止來自與回填材料的接觸150之破壞，與回填材料的接觸150會在回填材料與磁性材料之間產生化學反應。化學反應會導致金屬柵格的發展，其將干擾和改變圖案化磁性結構的磁性特性。以材料回填圖案化表面可包括平面化處理，以產生圖案化堆疊外形上的平滑表面。磁性島會遭受來自平面化處理160的破壞，諸如回填材料的回蝕等。保護堆疊的圖案化磁性材料之方法在廣泛的材料組合之上提供圖案化磁性材料的保護，藉以維持一實施例的圖案化堆疊之想要的磁性特性。 詳細說明：
    圖2為一實施例之堆疊的圖案化磁性材料之保護方法的概要流程圖之方塊圖。圖2圖示圖案化堆疊100，其可包括位元圖案化堆疊或分離的軌道媒體。堆疊的圖案化可包括諸如離子束蝕刻等處理。離子束與堆疊的層式結構起化學反應，堆疊的層式結構包括使用圖案樣板所壓印之基板、磁性材料層、和抗蝕層。可在沒有實施例的空氣之真空中執行IBE處理。
    保護堆疊的圖案化磁性材料之方法中的步驟可包括將薄的連續膜沉積於磁性島和膜110之上。磁性島和膜係藉由圖案化處理所產生。在一實施例中，可在圖案化處理之後，於真空環境中執行薄的連續膜之沉積。薄的連續膜之沉積包括使用對堆疊的磁性材料遲鈍之膜材料200。在形成一實施例之薄的臨時介面層120中使用薄的連續膜沉積。
    一實施例中之惰性膜材料被組構成防止堆疊的磁性結構之磁性特性210的變化。薄的臨時介面層120的惰性材料提供介面，其被組構成防止磁性材料與諸如用於回填圖案化外形者等周圍材料之間的化學反應220。薄的臨時介面層120被組構成防止一實施例的磁性材料之擴散230。
    在磁性島和膜110之上沉積薄的連續膜將磁性島頂部和側壁240表面覆蓋有薄的臨時介面層120。形成薄的臨時介面層120亦將沉積惰性材料於磁性膜蝕刻表面上250。薄的臨時介面層120被用於保護磁性島和膜130免於下面製造處理及再往後期間的破壞。當圖案化堆疊100離開真空環境時，磁性島和膜130會暴露至空氣。包括氧之空氣會與磁性材料起化學反應，及產生一實施例的空氣暴露破壞140。
    在圖案化處理之後，堆疊外形會被回填以產生平滑表面。形成薄的臨時介面層120塗層磁性島和磁性膜的表面，以防止與回填材料實際相接觸。由薄的臨時介面層之惰性材料所提供的介面塗層保護圖案化堆疊免於來自與回填材料相接觸之破壞150、與用於回填的材料相接觸會與磁性材料起化學反應。接觸化學反應會產生磁性材料劣化，導致由於磁性特性和圖案化磁性島的體積之變化所產生的故障。接觸化學反應會產生金屬柵格的發展，其可能以無常的方式改變磁性特性，導致一實施例之磁性島性能的永久破壞。
    堆疊外形的回填之處理可包括平面化處理。平面化處理被用於降低表面上的高度差，及在圖案化堆疊上產生平滑表面。諸如塗層上的碳(COC)和潤滑等完工塗層會在平面化之後沉積於平滑表面上。平面化處理可包括回蝕處理，以化學移除剩下的遮罩層及回填材料的部分。對未受保護的磁性島之破壞會發生，包括例如與回蝕處理中所使用之化學藥品的化學反應。形成塗層包括頂部和側壁表面之磁性島的表面之薄的臨時介面層120防止來自諸如一實施例的回蝕等平面化處理160之破壞。
    保護堆疊的圖案化磁性材料之方法防止圖案化堆疊的磁性島和磁性膜二者之劣化和破壞。藉由薄的臨時介面層防止因為暴露至空氣、與回填材料的接觸、及平面化處理的破壞。防止破壞的保護方式保持了圖案化堆疊的磁性材料之實體特徵和磁性特性。藉此，防止薄的臨時介面層破壞的保護方式增加了諸如一實施例的位元圖案化媒體等圖案化堆疊之品質。 新近圖案化磁性島：
    圖3A為一實施例的新近圖案化磁性島的僅作為圖解性目的之例子圖。在圖3A中圖示圖案化堆疊磁性層300。全磁性層係沉積於基板上，在基板上為沉積的碳遮罩層和抗蝕層。被形成嵌入預定樣板圖案之樣板係置放於抗蝕層上。流體抗蝕層之部分藉由毛細管作用充填樣板的凹處。壓印處理使一實施例的抗蝕劑充填的凹處變硬。在移除樣板之後，諸如RIE(反應性離子蝕刻)等遮罩格式化處理移除未變硬的抗蝕劑，及將預定的抗蝕圖案轉移到碳遮罩層內。在形成碳遮罩圖案之後，諸如IBE等磁性蝕刻處理移除未受保護的磁性材料到預定深度。在各個變硬的碳遮罩下方所剩餘之磁性材料產生磁性島310。在圖案化堆疊外形上，磁性島310出現成為高起伏特徵，及具有殘餘蝕刻碳330在頂部上。圖案化處理已移除磁性材料之區域形成蝕刻磁性膜320，其產生一實施例之磁性島310的頂部下方之表面。 回填圖案化堆疊：
    圖3B為一實施例的回填材料之僅作為圖解性目的之例子圖。圖3B圖示圖案化堆疊磁性層300，其包括圖3A之一些磁性島310特徵和蝕刻磁性膜320的表面。圖3B亦圖示回填材料340，其回填沉積係到蝕刻碳330的頂部之厚度。回填材料340可包括在一實施例的沉積之後的平面化處理。 平面化圖案化堆疊結構：
    圖3C為一實施例的包括薄臨時介面層之平面化圖案化堆疊結構的僅作為圖解性目的之例子圖。圖3C圖示能夠觀看圖案化特徵之回填材料340的立體圖。可看見圖案化堆疊磁性層300的圖3A特徵之磁性島310和蝕刻磁性膜320。平面化處理可包括回蝕處理，以移除到各個磁性島310的頂部之材料。回蝕處理已移除圖3A的蝕刻碳330和圖3A之蝕刻碳330的頂部上之薄的臨時介面層360。回蝕處理亦已移除了回填材料340的一部分到平面化處理位準的回蝕表面380。
    可看見薄的臨時介面層360上至到圖3A之蝕刻磁性膜320的頂部。已移除沉積於變硬的碳之頂部上的薄臨時介面層360到平面化的表面380。由薄的臨時介面層360所提供之側壁保護350餘留在各個磁性島310的表面上，防止與回填材料340相接觸。在一實施例的圖案化堆疊磁性層300上完成平面化處理之後，薄的臨時介面層360繼續提供磁性膜蝕刻表面保護370。 碳遮罩圖案：
    圖4A為一實施例的堆疊磁性層上之碳遮罩圖案的僅作為圖解性目的之例子圖。圖4A圖示在堆疊磁性層410上所發展之碳遮罩圖案400。碳遮罩形成處理可包括使用具有預定外形的圖案樣板之抗蝕壓印處理以及轉移為碳之圖案轉移處理。連續的磁性圖案處理以例如IBE持續著，以轉移圖案到一實施例的堆疊磁性層410內。 圖案化堆疊磁性層：
    圖4B為一實施例之圖案化堆疊磁性層的僅作為圖解性目的之例子圖。在已完成圖案化處理之後，圖4B圖示圖案化堆疊磁性層300。圖案化堆疊磁性層300包括在圖案化處理期間所產生之磁性島310特徵。在各個磁性島310的頂部上為在圖案化處理期間已變硬之殘餘蝕刻碳330材料。已移除之圖4A的堆疊磁性層410之部分形成一實施例的蝕刻磁性膜320之表面。 薄的臨時介面層：
    圖4C為一實施例之沉積的薄臨時介面層之僅作為圖解性目的之例子圖。保護堆疊的圖案化磁性材料之方法包括將薄的連續膜沉積於圖1之磁性島和膜110上。薄的連續膜之沉積可包括諸如濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積、或其他保形沉積技術等處理。薄的連續膜之沉積形成薄的臨時介面層360，其藉由塗層圖3A之各個磁性島310的露出表面和圖3A之蝕刻磁性膜320來充作保護層。薄的臨時介面層360亦塗層一實施例之殘餘蝕刻碳330的露出表面。
    薄的連續膜之沉積可包括使用對圖案化堆疊的磁性材料遲鈍之材料。惰性材料可包括例如可以兩nm厚度予以沉積之碳。惰性材料被組構成防止圖案化堆疊的磁性材料之擴散。薄的臨時介面層將使磁性島與其包括空氣和回填材料之周圍環境隔離。薄的臨時介面層包括應用到包括平面化處理之圖案化堆疊製造。薄的臨時介面層在可包括一實施例的平面化處理之圖案化堆疊製造中提供免於破壞之保護。 回填材料：
    圖4D為一實施例的沉積在薄臨時介面層之頂部的回填材料之僅作為圖解性目的之例子圖。圖案化堆疊製造處理可包括回填圖案化堆疊磁性層300的圖案化外形。可將回填材料340沉積於已被塗層有薄的臨時介面層360之殘餘蝕刻碳330、圖3A的蝕刻磁性膜320、及各個磁性島310的側壁表面之頂部上。
    可將回填材料340沉積超過各個磁性島310和殘餘蝕刻碳330之高度。在一實施例中，圖案化堆疊製造處理未包括平面化處理。未包括平面化處理使薄的臨時介面層360原封不動，及提供圖案化堆疊磁性層300的磁性材料之保護。在另一實施例中，圖案化堆疊製造處理可包括平面化處理。 平面化回填材料：
    圖4E為一實施例之薄臨時介面層的平面化回填材料和平面化區段之僅作為圖解性目的之例子圖。使用平面化處理已降低圖3B之回填材料340的厚度。圖3B之回填材料340的移除被執行到平面化的表面380之位準。平面化處理可包括回蝕處理，其已移除圖3A之殘餘蝕刻碳330和沉積在變硬的碳之頂部上的薄的臨時介面層360。平面化的表面380會剩下平面化回填材料420到圖3A之各個磁性島310的頂部。平面化處理可包括機械處理，以拋光表面，剩下平面化薄的臨時介面層430區段到圖3A之各個磁性島310的頂部。薄的臨時介面層360已保護磁性材料免於平面化處理期間的破壞。
    平面化的表面380會剩下平面化回填材料420在圖3A之各個磁性島310的頂部下方。這樣可能會使薄的臨時介面層360暴露於例如回蝕處理所使用之化學材料。薄的臨時介面層360提供圖3A之磁性島310側壁保護350，免於由於回蝕處理化學材料所產生的破壞。使用一實施例之薄的臨時介面層360已保護圖案化堆疊磁性層300免於平面化處理期間的實體破壞和磁性體積耗損。
    上述已說明操作的原理、實施例、和模式。然而，本發明不應被解釋作侷限於所討論之特定實施例。上述實施例應被視作圖解說明而非限制，及應明白在不違反下面申請專利範圍所定義的範疇之下，精於本技藝之人士可對那些實施例進行各種改變。
    此處說明之所有元件、部件、及步驟是較佳的方式。應明白的是，如同精於本技藝之人士所顯然易知的一般，可以其他元件、部件、及步驟取代或一起刪除這些元件、部件、及步驟的任一個。
    100‧‧‧圖案化堆疊
    110‧‧‧磁性島和膜
    120‧‧‧臨時介面層
    130‧‧‧磁性島和膜
    300‧‧‧圖案化堆疊磁性層
    310‧‧‧磁性島
    320‧‧‧蝕刻磁性膜
    330‧‧‧蝕刻碳
    340‧‧‧回填材料
    350‧‧‧側壁保護
    360‧‧‧臨時介面層
    370‧‧‧磁性膜蝕刻表面保護
    380‧‧‧平面化的表面
    400‧‧‧碳遮罩圖案
    410‧‧‧堆疊磁性層
    420‧‧‧回填材料
    430‧‧‧臨時介面層
    圖1為一實施例的堆疊之圖案化磁性材料的保護方法之概要的方塊圖。
    圖2為一實施例的堆疊之圖案化磁性材料保護方法的概要流程圖之方塊圖。
    圖3A為一實施例的新圖案化磁性島之僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖3B為一實施例的回填材料之僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖3C為一實施例的包括薄臨時介面層之平面化圖案化堆疊結構的僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖4A為一實施例的堆疊磁性層上之碳遮罩圖案的僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖4B為一實施例之圖案化堆疊磁性層的僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖4C為一實施例之沉積的薄臨時介面層之僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖4D為一實施例的沉積在薄臨時介面層之頂部的回填材料之僅作為圖解性目的之例子圖。
    圖4E為一實施例之薄臨時介面層的平面化回填材料和平面化區段之僅作為圖解性目的之例子圖。
    100‧‧‧圖案化堆疊
    110‧‧‧磁性島和膜
    120‧‧‧臨時介面層
    130‧‧‧磁性島和膜
    125‧‧‧保護
    140‧‧‧空氣暴露破壞
    150‧‧‧接觸
    160‧‧‧平面化處理
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種保護堆疊的圖案化磁性材料之方法，包含：沉積惰性材料之薄的連續膜，該惰性材料對其上沉積該薄的連續膜之圖案化堆疊的該等磁性材料遲鈍；以及從該薄的連續膜形成薄的臨時介面層，以保護該圖案化堆疊之非蝕刻的較高起伏磁性島之頂部和側壁區與磁性膜蝕刻的表面，免於空氣暴露破壞和來自與回填材料接觸之破壞。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該惰性材料被組構成防止改變該圖案化的堆疊之該等磁性島和磁性膜的磁性特性。
    [3] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該惰性材料被組構成防止與圖案化堆疊的該等磁性材料起化學反應。
    [4] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該惰性材料被組構成防止圖案化堆疊的該等磁性材料之擴散。
    [5] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，沉積該薄的連續膜包括濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積、原子層沉積、或保形沉積中至少一個。
    [6] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該薄的臨時介面層包括平面化處理。
    [7] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該薄的臨時介面層被組構成使磁性島與包括空氣和回填材料的周圍元素隔離。
    [8] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該薄的臨時介面層被組構成產生磁性島側壁保護，免於平面化和回蝕處理期間的破壞。
    [9] 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在真空中離子束蝕刻圖案化之後，隨後將該薄的連續膜沉積於新近圖案化磁性島之上。
    [10] 一種設備，包含：沉積裝置，用以沉積惰性材料之薄的連續膜，該惰性材料對其上沉積該薄的連續膜之圖案化堆疊的該等磁性材料遲鈍；以及形成裝置，用以從該薄的連續膜形成薄的臨時介面層，以保護該圖案化堆疊之非蝕刻的較高起伏磁性島之頂部和側壁區和磁性膜蝕刻的表面免於空氣暴露破壞和來自與回填材料的接觸之破壞。
    [11] 根據申請專利範圍第10項之設備，另包含產生裝置，用以在圖案化堆疊中產生薄的臨時介面層結構，以在平面化處理期間保護磁性島。
    [12] 根據申請專利範圍第10項之設備，另包含沉積裝置，用以沉積該惰性材料，以防止改變該圖案化堆疊的磁性特性。
    [13] 根據申請專利範圍第10項之設備，其中，用以沉積該薄的連續膜之裝置包括濺鍍裝置、電漿增強型化學氣相沉積裝置、原子層沉積裝置、或保形沉積裝置中至少一個。
    [14] 根據申請專利範圍第10項之設備，另包含產生裝置，用以在圖案化堆疊中產生薄的臨時介面層結構，以保護磁性島免於與回填材料直接接觸所造成的擴散破壞。
    [15] 根據申請專利範圍第10項之設備，另包含沉積裝置，用以在真空中離子束蝕刻圖案化之後，隨後將該薄的連續膜沉積於圖案化堆疊之新近圖案化磁性島之上。
    [16] 一種保護層結構，包含：圖案化磁性島；薄的臨時介面層；以及薄的連續膜保護層結構，其中，藉由將該薄的連續膜保護層結構沉積於該等圖案化磁性島上而形成該薄的臨時介面層，以保護該等圖案化磁性島免於空氣暴露破壞、來自與回填材料的接觸之破壞、及來自平面化處理的破壞。
    [17] 根據申請專利範圍第16項之保護層結構，其中，沉積於圖案化磁性島上之該等材料對該等圖案化島所使用的磁性材料遲鈍。
    [18] 根據申請專利範圍第17項之保護層結構，其中，沉積於圖案化磁性島上之該等惰性材料被組構成防止改變圖案化堆疊的該等磁性島和磁性膜之該等磁性特性，防止與圖案化島的該等磁性材料起化學反應，及防止圖案化島的該等磁性材料之擴散。
    [19] 根據申請專利範圍第16項之保護層結構，其中，使用沉積處理來沉積該保護層，該沉積處理包括濺鍍、電漿增強型化學氣相沉積、原子層沉積、或保形沉積技術中至少一個。
    [20] 根據申請專利範圍第16項之保護層結構，其中，該薄的臨時介面層被組構成在包括該等回填材料的回蝕之平面化處理期間保護該等圖案化磁性島。
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    法律状态:
    2021-07-01| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US13/173,564|US20130004736A1|2011-06-30|2011-06-30|Method of protecting patterned magnetic materials of a stack|
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